SunEvo Solar Photovoltaic Solar Panel Module
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EVO5N 575M Bifacial N-Typ TOPCon 144 Zellen Solarmodul

Bifacial-Module der E VO 5N-Serie kombinieren führende N-Typ-TOPCon-Technologie, 182-mm-Siliziumwafer und 16BB-Halbzelle Höhere Stromerzeugung unter Arbeitsbedingungen dank passivierender Kontaktzellentechnologie. Das bifaziale Halbzellenmodul vom Typ N von SunEvo kann einen Leistungsausgangsbereich zwischen 555 W und 575 W erreichen.

  • Marke:

    SunEvo
  • Leistungsbereich :

    555W~575W
  • max. Effizienz :

    22.25%
  • Anzahl der Zellen :

    144 (6×24)
  • Abmessungen des Moduls L*B*H :

    2279 x 1134 x 30mm
  • Last :

    31.5kgs
  • Vorderseite Glas :

    2.0mm coated semi-tempered glass
  • Rückseite Glas :

    2.0mm semi-tempered glass
  • rahmen :

    Anodized aluminium alloy
  • Anschlussdose :

    Ip68 rated (3 bypass diodes)
  • Kabel :

    4mm² , 300mm (+) / 300mm (-), Length can be customized
  • Wind-/Schneelast :

    5400Pa
  • Verbinder :

    MC4 compatible
  • Bifazialität :

    80±5%

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E VO 5N N-Typ TOPCon 144 Halbzellen 555 W 560 W 565 W 570 W 575 W bifaziales Doppelglas-Solarmodul

Bifacial-Module der E VO  5N-Serie kombinieren führende N-Typ-TOPCon-Technologie, 182-mm-Siliziumwafer und 16BB-Halbzelle. Höhere Stromerzeugung unter Arbeitsbedingungen dank passivierender  Kontaktzellentechnologie.  Das bifaziale Halbzellenmodul vom Typ N von SunEvo kann einen Leistungsausgangsbereich zwischen 555 W und 575 W erreichen.

 

Elektrische Parameter (STC*)

Maximale Leistung (Pmax/W)

555

560

565

570

575

Maximale Leistungsspannung (Vmp/V)

41,95

42.11

42.26

42,41

42,56

Maximaler Leistungsstrom (Imp/A)

13.23

13.30 Uhr

13.37

13.44

13.51

Leerlaufspannung (Voc/V)

51,00

51.14

51,28

51,41

51,55

Kurzschlussstrom (Isc/A)

13.94

14.01

14.08

14.15

14.22

Moduleffizienz (%)

21.48

21.67

21.86

22.06

22.25

Leistungstoleranz (W)

0/+5W

Temperaturkoeffizient von Isc

+0,045 %/°C

Temperaturkoeffizient von Voc

-0,250 %/°C

Temperaturkoeffizient von Pmax

-0,290 %/°C

 

Bifacial Output-Rearside Power Gain
5 % Maximale Leistung (Pmax/W) 583 588 593 599 604
Moduleffizienz STC (%) 22.55 22.75 22.96 23.16 23.36
15% Maximale Leistung (Pmax/W) 638 644 650 656 661
Moduleffizienz STC (%) 24.70 24.92 25.14 25.36 25.59
25 % Maximale Leistung (Pmax/W) 694 700 706 713 719
Moduleffizienz STC (%) 26.84 27.09 27.33 27.57 27.81
 
 
Die N-Typ-Batterie TOPCon ist die beste Wahl für den Technologieübergang.
 
TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) – passivierter Kontakt mit Oxidschicht. Es gibt keinen wesentlichen Unterschied zwischen der Vorderseite und herkömmlichen N-Typ-Solarzellen oder N-PERT-Solarzellen und die Kerntechnologie der Batterie ist der Passivierungskontakt auf der Rückseite. Die Rückseite der Batterie besteht aus einer Schicht aus ultradünnem Siliziumoxid (1–2 nm) und einer Schicht aus mit Phosphor dotiertem, mikrokristallinem, amorphem, gemischtem Si-Film, die zusammen eine Passivierungskontaktstruktur bilden. Die Passivierungsleistung wird durch den Glühprozess aktiviert und die Kristallinität des Si-Films ändert sich während des Glühprozesses von mikrokristalliner amorpher Mischphase zu polykristallin. Geglüht bei einer Glühtemperatur von 850 °C, iVoc > 710 mV, J0 in 9–13 fA/cm2, was eine hervorragende Passivierungsleistung der passivierten Kontaktstruktur zeigt.
 
Diese Struktur kann die Rekombination von Minoritätsträgern und Löchern verhindern und die Leerlaufspannung und den Kurzschlussstrom der Batterie erhöhen. Die ultradünne Oxidschicht ermöglicht den Tunnel vieler Elektronen in die Polysiliziumschicht und blockiert gleichzeitig die Rekombination von Minderheitselektronen und Löchern. Der gute Passivierungseffekt von ultradünnem Siliziumoxid und stark dotiertem Siliziumfilm bewirkt, dass sich das Oberflächenenergieband des Siliziumwafers biegt und so eine Feldpassivierung entsteht. Dadurch wird die Wahrscheinlichkeit des Tunnelns von Elektronen erheblich erhöht, der Kontaktwiderstand verringert und die Leerlaufspannung und der Kurzschlussstrom der Batterie erhöht, wodurch die Umwandlungseffizienz der Batterie verbessert wird.
 
Doppelseitiges Einzelglas erhöht die Sicherheit von TOPCon-Modulen vom Typ n
 
1) TOPCon-Batterien vom Typ n haben keine Angst vor der Gefahr der Essigsäurekorrosion
In Bereichen mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit ist die Batterie häufig einer durch die Hydrolyse des Klebefilms verursachten Essigsäurekorrosion ausgesetzt, die zu einem erheblichen Leistungsabfall der Module führt. Um dieses Problem zu lösen, verwendet die n-Typ-TOPCon-Batterie eine anorganische, essigsäurebeständige Aufschlämmung (Aufschlämmungsnummer JHZ04), um die Leistung des Moduls zu reduzieren. Mit dem Ausdehnungskoeffizienten des Silberpulvers wird auch die Korrosionsfestigkeit des Frontglases angepasst, wodurch die Essigsäurebeständigkeit verbessert wird, sodass bei der n-Typ-TOPCon-Batterie keine Gefahr besteht, dass die Batterie aufgrund der Bildung von Essigsäure aufgrund der Hydrolyse des EVA-Films korrodiert und geschwächt wird.
 
2) Transparente Mesh-Rückwandplatine mit hoher Wasserbeständigkeit
Da die meisten Photovoltaikmodule in EVA verpackt sind, ist es unvermeidlich, dass EVA in Umgebungen mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit hydrolysiert und Essigsäure entsteht. Um das problematische Wasserdampfproblem zu lösen, nutzt Jolywood New Materials die neueste „Haobo 2.0“-Technologie durch ein mehrschichtiges Strukturdesign auf molekularer Ebene, das eine dichte molekulare Struktur auf der Oberfläche der transparenten Gitterrückwandplatine bildet und so das Eindringen von Wasserdampf effektiv blockiert; Bildung einer organischen/anorganischen Hybridisierung an der Lücke, wo die darunter liegenden anorganischen Moleküle in die Polymerkettensegmente dotiert sind, wodurch Wasserdampfkanäle reduziert werden und dadurch eine hohe Wasserblockierungswirkung erzielt wird.
 
3) Die transparente Rückwand ist sicher, ohne zu platzen
Das doppelseitige Doppelglasmodul verwendet 2,0-mm-Glas auf der Vorder- und Rückseite und die Glasbruchwahrscheinlichkeit beträgt 6‰; während das doppelseitige Einzelglas Das Wichtigste ist die transparente Gitterrückwandplatine, die das Infrarotband über 3 μm passieren und Wärme durch Infrarotstrahlung ableiten kann. Im Vergleich zu Doppelglas liegt die durchschnittliche Betriebstemperatur um 1-2℃ niedriger, sodass grundsätzlich keine Angst vor einem Glasbruch besteht.
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