EVO5N 625 W Bifacial N-Typ TOPCon 156 Zellen Solarmodul

1. Texturierung

Der Texturierungsabschnitt (insgesamt 6 Zeilen) umfasst wiederum

Vorreinigung

Waschen mit reinem Wasser vor dem Samt

Texturierung*3

Reines Wasserwaschen nach Samt

nach dem Saubermachen

Nach dem Waschen mit reinem Wasser waschen

Beizen

Waschen mit reinem Wasser nach dem Beizen

langsames Ziehen vor der Austrocknung

Trocknen*5 usw.

2. Bordiffusion

Der Zweck des Diffusionsprozesses besteht darin, einen PN-Übergang auf dem Siliziumwafer zu bilden, um die Umwandlung von Lichtenergie in elektrische Energie zu realisieren. Die Ausrüstung zur Herstellung von PN-Übergängen ist ein Diffusionsofen. Das Projekt nutzt gasförmiges Bortrichlorid, um den Siliziumwafer im Diffusionsofen zu diffundieren. Boratome diffundieren in den Siliziumwafer und bilden eine Schicht aus Borosilikatglas auf der Oberfläche des Siliziumwafers. Die Hauptreaktionsgleichung lautet:

4BCl3+3O2→2B2O3+6Cl2 ↑

2B2O3+3Si→3SiO2+4B

3. SE-Laser-Redotierung

Bei der Laserdotierungstechnologie erfolgt eine starke Dotierung des Kontaktteils der Metallgitterlinie (Elektrode) und des Siliziumwafers, während die leichte Dotierung (Dotierung mit geringer Konzentration) außerhalb der Elektrode bleibt. Auf der Oberfläche des Siliziumwafers erfolgt durch thermische Diffusion eine Vordiffusion zur Bildung einer Lichtdotierung; Gleichzeitig wird das Oberflächen-BSG (Borosilikatglas) als lokale Laserquelle für starke Dotierung genutzt. Durch die lokale thermische Wirkung des Lasers diffundieren die Atome im BSG zum zweiten Mal schnell in den Siliziumwafer und bilden dort einen lokalen Bereich mit starker Dotierung.

4. Nachoxidation

Wenn die Oberfläche des Siliziumwafers mit Laser-SE behandelt wird, wird die Oxidschicht auf der Bordiffusionsoberfläche (Lichteinfallsoberfläche) durch die Punktenergie des Lasers zerstört. Beim alkalischen Polieren und Ätzen ist eine Oxidschicht als Maskenschicht erforderlich, um die Phosphordiffusionsoberfläche (Lichteinfallsoberfläche) des Siliziumwafers zu schützen. Daher ist es notwendig, die Oxidschicht auf der mit Laser SE gescannten Oberfläche zu reparieren.

5. In-situ-Dotierung durch POPAID-Abscheidung

Der POPAID-Prozess ist ein Schlüsselprozess zur Integration der durch die Tunneloxidschicht und die dotierte Siliziumschicht vorbereiteten Plattenbeschichtung.

6. Glühen

Legen Sie den Siliziumwafer in ein Reaktionsrohr aus Quarzglas, und das Reaktionsrohr wird durch einen Widerstandsdrahtheizofen auf eine bestimmte Temperatur erhitzt (die üblicherweise verwendete Temperatur beträgt 900–1200 °C und kann unter besonderen Bedingungen auf unter 600 °C gesenkt werden). Wenn Sauerstoff durch das Reaktionsrohr strömt, kommt es auf der Oberfläche des Siliziumwafers zu einer chemischen Reaktion:

Si (fester Zustand) + O2 (gasförmiger Zustand) → SiO2 (fester Zustand)

7. BOE-Reinigung

Beiztank*2

gewaschen

Nach dem Beizen (HCL/HF/DI)

gewaschen

langsames Heben

Trocknen*6

8. Frontbeschichtung

Das Grundprinzip besteht darin, durch Hochfrequenz-Photoentladung Plasma zu erzeugen, um den Filmabscheidungsprozess zu beeinflussen, die Zersetzung, Kombination, Anregung und Ionisierung von Gasmolekülen zu fördern und die Erzeugung reaktiver Gruppen zu fördern.

Die wichtigsten chemischen Reaktionen, die bei der PECVD-Abscheidung von Siliziumoxinitridfilmen ablaufen, sind:

SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2 ↑+yH2 ↑

9. Rückseitenbeschichtung

Die wichtigsten chemischen Reaktionen, die bei der PECVD-Abscheidung von Siliziumoxinitridfilmen ablaufen, sind:

SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2 ↑+yH2 ↑

10. Metallisierung

1) Drucken

Während des Druckvorgangs befindet sich die Aufschlämmung über dem Sieb und der Schaber wird mit einem bestimmten Druck gegen das Sieb gedrückt, sodass sich das Sieb verformt und die Oberfläche des Siliziumwafers berührt. Die Aufschlämmung berührt durch Extrusion die Oberfläche des Siliziumwafers; Die Oberfläche des Siliziumwafers weist eine starke Adsorptionskraft auf, die die Aufschlämmung aus dem Netz reißt. Zu diesem Zeitpunkt ist der Schaber in Betrieb und die zuvor verformte Schablone sorgt dafür, dass die Aufschlämmung unter der Wirkung einer guten Wiederherstellungskraft sanft auf die Oberfläche des Siliziumwafers fällt. Unter ihnen ist die Silberpaste eine Pastendruckpaste, die aus ultrafeinem hochreinem Silber- und Aluminiumpulver als Hauptmetall und einer bestimmten Menge an organischem Bindemittel und Harz als Hilfsstoffen besteht.

2) Sintern

Beim Sintern wird die auf den Siliziumwafer gedruckte Hauptgitterpaste bei hoher Temperatur in eine Zelle gesintert, so dass die Elektroden in die Oberfläche eingebettet werden, ein fester mechanischer Kontakt und eine gute elektrische Verbindung entstehen und schließlich ein ohmscher Kontakt zwischen der Elektrode und dem Siliziumwafer selbst entsteht.

3) Elektroinjektion

Nachdem die Zellen gesintert sind, wird die Methode der direkten elektrischen Injektion von Trägern (umgekehrte Injektion von Gleichstrom) verwendet, um den Ladungszustand des Wasserstoffs im Siliziumkörper zu ändern, so dass der abgeschwächte Bor-Sauerstoff-Komplex gut passiviert und in eine stabile regenerative Ökologie umgewandelt werden kann und schließlich den Zweck des Anti-Lichtzerfalls erreicht.

11. Testverpackung

Nach der Herstellung der Solarzelle werden die elektrischen Leistungsparameter der Solarzelle mit Testinstrumenten getestet (z. B. Messung der IV-Kurve, der Lichtumwandlungsrate und anderer elektrischer Parameter). Nach Abschluss des Tests wird die Batterie gemäß bestimmten Standards automatisch in mehrere Stufen unterteilt.